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首頁 >MJD243>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
MJD243	文件：168.56 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：168.56 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MJD243	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS	恩XP	恩XP
MJD243	文件：300 bytes Page：1 Pages	音頻功放晶體管	THUNDER 中科創(chuàng)達(dá)	THUNDER
MJD243	文件：300 bytes Page：1 Pages	雙極晶體管	BlueRocket 藍(lán)箭電子	BlueRocket
MJD243	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：托盤類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 100V 4A DPAK	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MJD243-1	文件：209.75 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. ? Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc ? High DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 200 mAdc = 15 (Min) @ IC = 文件：209.75 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MJD243-251	文件：298.37 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 0.5A APPLICATIONS · Designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications 文件：298.37 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MJD243-252	文件：279.3 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 0.5A APPLICATIONS · Designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications 文件：279.3 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MJD243T4	文件：209.75 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. ? Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc ? High DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 200 mAdc = 15 (Min) @ IC = 文件：209.75 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MJD243T4	文件：124.95 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistor Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK?3 for Surface Mount Applications Designed for low voltage, low?power, high?gain audio amplifier applications. Features ? Collector?Emitter Sustaining Voltage ? VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc ? High DC Cur 文件：124.95 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
MJD243
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
托盤
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 200mA，1V
頻率 - 躍遷：
40MHz
工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
描述：
TRANS NPN 100V 4A DPAK

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MJD243	onsemi	25+	DPAK	7786	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MJD243		24+		8866		詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	MJD243	MOTOROLA	24+		2500	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	MJD243	ON	23+	TO-252	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	MJD243	NEXPERIA/安世	23+	SOT109-1	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	MJD243	ON/安森美	2447	SMD	100500	一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	MJD243	ON/安森美	2022+	DPAK-4	12888	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司	MJD243	MJD243	25+	83	83		詢價(jià)
深圳市賽美科科技有限公司	MJD243	ON		(DPAK)	56520	一級(jí)代理原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	MJD243	ON Semiconductor	2022+	DPAK	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)

更多MJD243供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 23:00:00

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