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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
MJD128	文件：75.86 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Features Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. ? Monolithic Construction With Built?in Base?Emitter Shunt Resistors ? High DC Current Gain ? hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc ? 文件：75.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MJD128	文件：245.58 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ? High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -4A ? Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -120V(Min) ? DPAK for Surface Mount Applications ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ? Designed for general purpo 文件：245.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
MJD128	文件：282.35 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -4A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -120V(Min) APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. 文件：282.35 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
MJD128	文件：300 bytes Page：1 Pages	8.0 A，120 V，PNP 達(dá)林頓雙極功率晶體管 The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. ? NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n? These are PbFree Devices;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MJD128T4G	文件：75.86 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Features Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. ? Monolithic Construction With Built?in Base?Emitter Shunt Resistors ? High DC Current Gain ? hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc ? 文件：75.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MJD128T4G	文件：92.84 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features ? Monolithic Construction With Built?in Base?Emitter Shunt Resistors ? High DC Current Gain: hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc ? E 文件：92.84 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MJD128T4G	文件：185.04 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor 文件：185.04 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MJD128T4G_12	文件：185.04 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor 文件：185.04 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MJD128T4	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MJD128T4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：托盤類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
IC Continuous (A)：
8
V(BR)CEO Min (V)：
120
VCE(sat) Max (V)：
2
hFE Min (k)：
1
hFE Max (k)：
12
fT Min (MHz)：
4
Package Type：
DPAK-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市華來(lái)深電子有限公司	MJD128	ON	23+	TO-252	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	MJD128	ON	18+	TO-252	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	MJD128	SHARP/夏普	23+	Sensor	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	MJD128	ON/安森美	23+	TO-251	13000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司	MJD128	ON/安森美	22+	TO-252-4	94489		詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	MJD128	ON	25+	TO-252-4	37650	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MJD128T4G	ON	24+	DPAK4LEADSingleG	8866		詢價(jià)
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深圳市納立科技有限公司	MJD128T4G		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)

更多MJD128供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 14:08:00

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