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MIT-5A11J	文件：45.97 Kbytes Page：3 Pages	SLOTTED PHOTOINTERRUPTER Description The MIT-5A11J consists of a Gallium Arsenide infrared emitting diode and a NPN silicon phototransistor built in a black plastic housing . It is a transmissive subminiature photointerrupter. Features ? Non -contact switching ? For- direct pc board ? Dual - in - line socket mounting 文件：45.97 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	UOT 東貝光電	UOT
SZ5A11	文件：112.37 Kbytes Page：2 Pages	500mW and 800mW 2.4 - 200 VOLTS ZENER DIODES 文件：112.37 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SSDI	SSDI
MIT-5A11B	文件：145.19 Kbytes Page：3 Pages	SLOTTED PHOTOINTERRUPTER Description The MIT-5A11B consists of a Gallium Arsenide infrared emitting diode and a NPN silicon phototransistor built in a black plastic housing. It is a trasmissive subminiature photointerrupter. Features ? Non -contact switching ? For- direct pc board ? Dual - in - line socket mounting 文件：145.19 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	UOT 東貝光電	UOT
MIT-5A11C	文件：51.98 Kbytes Page：3 Pages	SLOTTED PHOTOINTERRUPTER Description The MIT-5A11C consists of a Gallium Arsenide infrared emitting diode and a NPN silicon phototransistor built in a black plastic housing . It is a reflective subminiature photointerrupter. Features ? Non -contact switching ? For- direct pc board or ? Dual - in - line socket mountin 文件：51.98 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	UOT 東貝光電	UOT

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更多MIT-5A11J供應商更新時間2026-1-22 16:21:00