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MGF4951A	文件：182.13 Kbytes Page：4 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT DESCRIPTION The MGF4951A/MGF4952A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses. FEATURES Low noise figure @ f=12GHz MGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.) MGF495 文件：182.13 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	MITSUBISHI 三菱電機(jī)	MITSUBISHI
MGF4951A	文件：184.61 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT 文件：184.61 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	MITSUBISHI 三菱電機(jī)	MITSUBISHI
MGF4951A_04	文件：184.61 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT 文件：184.61 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	MITSUBISHI 三菱電機(jī)	MITSUBISHI
MGF4951A	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-GaAs High Frequency Devices Low Noise GaAs HEMTs MGF4951A DESCRIPTION\nThe MGF4951A/MGF4952A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses.FEATURES\nLow noise figure @ f=12GHz\nMGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.)\nMGF4952A : NFmin. = 0.60d Low noise figure @ f=12GHz\nMGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.)\nMGF4952A : NFmin. = 0.60dB (Typ.);	MITSUBISHI 三菱電機(jī)	MITSUBISHI

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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深圳市坤融電子科技有限公司	MGF4951A	MITSUMI/美上美	2025+	SOT-23	5000	原裝進(jìn)口價(jià)格優(yōu) 請(qǐng)找坤融電子!	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MGF4951A	MITSUBISHI三菱/RENESAS瑞	24+	2008++	12200	新進(jìn)庫(kù)存/原裝	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	MGF4951A	MITSUBISHI	23+	SOP-14	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
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千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	MGF4951A	MITSUBISH	24+	SMD	5000	MITSUBISH專營(yíng)品牌原裝正品假一罰十	詢價(jià)

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