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MFE211	文件：496.78 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL DUAL-GATE SILICON-NITRIDE PASSIVATED MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS 文件：496.78 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MFE211	文件：98.59 Kbytes Page：2 Pages	N-. HANNEL DUAL-GATE SILICON-NITRIDE PASSIVATED MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS 文件：98.59 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
MFE211	文件：1.16478 Mbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL DUAL GATE SILICON NITRIDE PASSIVATED MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 文件：1.16478 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages	DIGITRON	DIGITRON
MFE211	文件：300 bytes Page：1 Pages	360mW Dual gate mosfet This Dual gate mosfet diode is packaged in TO-72 package, which has a power dissipation of 360mW.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.	Digitron	Digitron
MFE211	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.05A	NJS	NJS
MFE211	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL DUAL-GATE SILICON-NITRIDE PASSIVATED MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS	恩XP	恩XP

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