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MDF11N60TH	文件：322.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.55Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：322.54 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MDF11N60TH	文件：1.18286 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 600V, 11A, 0.55? General Description The MDF11N60 uses advanced Magnachip’s MOSFET Technology, which provides low on-state resistance, high switching performance and excellent quality. MDF11N60 is suitable device for SMPS, high Speed switching and general purpose applications. Features ? VDS = 600V ? VDS = 文件：1.18286 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF11N60TH	文件：959.32 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 600V, 11A, 0.55(ohm) 文件：959.32 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF11N60TH	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格納	MagnaChip

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更多MDF11N60TH供應(yīng)商更新時間2026-1-22 17:22:00