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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
MCH6122	文件：519.919 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor -30V, -3A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH6 Features ? Adoption of MBIT process ? Large current capacity ? Low collector-to-emitter saturation voltage ? High speed switching ? Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim (0.85mm) ? High allowable power dissipation ? Halogem free compliance Applications 文件：519.919 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MCH6122	文件：245.12 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Amplifier DC / DC Converter Amplifier Features ? Adoption of MBIT process ? Large current capacity ? Low collector-to-emitter saturation voltage ? High speed switching ? Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim (0.85mm) ? High allowable power dissipation ? Halogem f 文件：245.12 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH6122	文件：300 bytes Page：1 Pages	MCH6122: Bipolar Transistor, -30V, -3A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH6 MCH6122 is Bipolar Transistor, -30V, -3A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH6 for Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, charger circuit Application. Adoption of MBIT process\nLarge current capacity\nLow collector-to-emitter saturation voltage\nHigh speed switching\nUltrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim (0.85mm)\nHigh allowable power dissipation\nHalogem free compliance;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MCH6122-TL-E	文件：519.919 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor -30V, -3A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH6 Features ? Adoption of MBIT process ? Large current capacity ? Low collector-to-emitter saturation voltage ? High speed switching ? Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim (0.85mm) ? High allowable power dissipation ? Halogem free compliance Applications 文件：519.919 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MCH6122-TL-H	文件：519.919 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor -30V, -3A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH6 Features ? Adoption of MBIT process ? Large current capacity ? Low collector-to-emitter saturation voltage ? High speed switching ? Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim (0.85mm) ? High allowable power dissipation ? Halogem free compliance Applications 文件：519.919 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MCH6122-TL-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-SMD，扁平引線；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 30V 3A 6MCPH	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

技術(shù)參數(shù)

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
?Active??
Description：
?Bipolar Transistor
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
30
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
Condition
Package Type：
SC-88FL / MCPH-6

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多MCH6122供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-23 11:08:00

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