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MC14073BD	文件：171.86 Kbytes Page：14 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates B-Suffix Series CMOS Gates The B Series logic gates are constructed with P and N channel enhancement mode devices in a single monolithic structure (Complementary MOS). Their primary use is where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. Features ? Supply Voltage Range = 3.0 V 文件：171.86 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MC14073BD	文件：327.76 Kbytes Page：11 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates TheB Series logic gates are constructed with P and N channel enhancementmode devices in a single monolithic structure (Complementary MOS). Their primary use is where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. 1. Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc 2. All Outputs Buffered 文件：327.76 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MC14073BD	文件：134.49 Kbytes Page：12 Pages	B-SUFFIX SERIES CMOS GATES 文件：134.49 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MC14073BDG	文件：171.86 Kbytes Page：14 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates B-Suffix Series CMOS Gates The B Series logic gates are constructed with P and N channel enhancement mode devices in a single monolithic structure (Complementary MOS). Their primary use is where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. Features ? Supply Voltage Range = 3.0 V 文件：171.86 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MC14073BDR2	文件：171.86 Kbytes Page：14 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates B-Suffix Series CMOS Gates The B Series logic gates are constructed with P and N channel enhancement mode devices in a single monolithic structure (Complementary MOS). Their primary use is where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. Features ? Supply Voltage Range = 3.0 V 文件：171.86 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MC14073BDR2G	文件：171.86 Kbytes Page：14 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates B-Suffix Series CMOS Gates The B Series logic gates are constructed with P and N channel enhancement mode devices in a single monolithic structure (Complementary MOS). Their primary use is where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. Features ? Supply Voltage Range = 3.0 V 文件：171.86 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MC14073BDG	文件：135.47 Kbytes Page：11 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates 文件：135.47 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MC14073BDG	文件：134.49 Kbytes Page：12 Pages	B-SUFFIX SERIES CMOS GATES 文件：134.49 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MC14073BDR2	文件：134.49 Kbytes Page：12 Pages	B-SUFFIX SERIES CMOS GATES 文件：134.49 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MC14073BDR2G	文件：135.47 Kbytes Page：11 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates 文件：135.47 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
MC14073BD
制造商：
onsemi
類別：
集成電路（IC） > 門和反相器
系列：
4000B
包裝：
管件
邏輯類型：
與門
輸入數(shù)：
3
電壓 - 供電：
3V ~ 18V
電流 - 輸出高、低：
8.8mA，8.8mA
邏輯電平 - 低：
1.5V ~ 4V
邏輯電平 - 高：
3.5V ~ 11V
不同 V、最大 CL 時(shí)最大傳播延遲：
100ns @ 15V，50pF
工作溫度：
-55°C ~ 125°C
安裝類型：
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：
14-SOIC
封裝/外殼：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
描述：
IC GATE AND 3CH 3-INP 14SOIC

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多MC14073BD供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 22:59:00

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