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MC10195L	文件：87.27 Kbytes Page：4 Pages	Hex Inverter/Buffer 文件：87.27 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MC10195P	文件：87.27 Kbytes Page：4 Pages	Hex Inverter/Buffer 文件：87.27 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
PTF10195	文件：328.96 Kbytes Page：6 Pages	125 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor Description The 10195 is an internally matched 125–watt GOLDMOS FET intended for cellular, GSM, D-AMPS, CDMA and EDGE applications. This device operates at 53 efficiency with 13 dB of gain minimum. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. ? INTERNALLY MATCHED ? 文件：328.96 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ERICSSON 愛立信	ERICSSON
SKI10195	文件：241.13 Kbytes Page：6 Pages	N ch Trench Power MOSFET 文件：241.13 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	SANKEN 三墾	SANKEN

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更多MC10195L供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 15:23:00