Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Lower power losses, high efficiency ? Low forward voltage drop ? High forward surge capability ? High frequency operation ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vish

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Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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10.0 AMPS. Isolated Schottky Barrier Rectifiers

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Dual Common Cathode Schottky Rectifier

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SCHOTTKY BARRIER

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Trench MOS Schottky technology\n Lower power losses, high efficiency\n Low forward voltage drop\n\n ;

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