RF MESFET放大器漏極電流自動控制器

MAX11014/MAX11015設置和控制雙路MESFET功率器件的偏置狀態(tài)，用于點對點通信或其他微波基站。MAX11014集成有兩路完整的閉環(huán)模擬漏極電流控制器，用于工作在A類放大器的MESFET，而MAX11015針對AB類工作。這兩種器件都集成有SRAM查找表(LUT)，用于保存溫度和漏極電流補償數(shù)據(jù)。\n 每種器件都包含兩個高邊電流監(jiān)測放大器，以監(jiān)測MESFET的漏極電流在取樣電阻上的壓降，其范圍為0至625mV。外部采用二極管連接的晶體管用于監(jiān)測MESFET的溫度，內(nèi)部溫度傳感器監(jiān)測MAX11014/MAX11015管芯的本地溫度。內(nèi)部DAC通過控制柵極電壓來設置電流取樣電阻上的壓 \n? 雙通道漏極電流檢測放大器 \n? 預設增益為4 \n? 在75mV至625mV檢測電壓范圍內(nèi)精度為±0.5% (MAX11014) \n? 取樣電阻共模電壓范圍 \n? 0.5V至11V (MAX11014) \n? 5V至32V (MAX11015) \n? 低噪聲柵極偏置輸出，具備±10mA柵極驅(qū)動能力 \n? 快速嵌位和上電復位 \n? 12位DAC控制MESFET柵極電壓 \n? 內(nèi)部溫度傳感器/雙通道外部溫度傳感器 \n? 內(nèi)部12位ADC測量溫度和電壓 \n? 可通過引腳選擇串行接口 \n? 3.4MHz I2C兼容接口 \n? 20MHz SPI/MICROWIR;

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MAX11014/MAX11015設置和控制雙路MESFET功率器件的偏置狀態(tài)，用于點對點通信或其他微波基站。MAX11014集成有兩路完整的閉環(huán)模擬漏極電流控制器，用于工作在A類放大器的MESFET，而MAX11015針對AB類工作。這兩種器件都集成有SRAM查找表(LUT)，用于保存溫度和漏極電流補償數(shù)據(jù)。\n 每種器件都包含兩個高邊電流監(jiān)測放大器，以監(jiān)測MESFET的漏極電流在取樣電阻上的壓降，其范圍為0至625mV。外部采用二極管連接的晶體管用于監(jiān)測MESFET的溫度，內(nèi)部溫度傳感器監(jiān)測MAX11014/MAX11015管芯的本地溫度。內(nèi)部DAC通過控制柵極電壓來設置電流取樣電阻上的壓 \n? 雙通道漏極電流檢測放大器 \n? 預設增益為4 \n? 在75mV至625mV檢測電壓范圍內(nèi)精度為±0.5% (MAX11014) \n? 取樣電阻共模電壓范圍 \n? 0.5V至11V (MAX11014) \n? 5V至32V (MAX11015) \n? 低噪聲柵極偏置輸出，具備±10mA柵極驅(qū)動能力 \n? 快速嵌位和上電復位 \n? 12位DAC控制MESFET柵極電壓 \n? 內(nèi)部溫度傳感器/雙通道外部溫度傳感器 \n? 內(nèi)部12位ADC測量溫度和電壓 \n? 可通過引腳選擇串行接口 \n? 3.4MHz I2C兼容接口 \n? 20MHz SPI/MICROWIR;

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Single-Chip, 8-Bit CCD Digitizer with Clamp and 6-Bit PGA

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Package：48-WFQFN 裸露焊盤；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 電源管理 - 專用 描述：IC CTLR LDMOS BIAS DUAL 48TQFN

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包裝：盒 類別：開發(fā)板，套件，編程器 射頻評估和開發(fā)套件，開發(fā)板 描述：EVAL KIT MAX11008

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包裝：散裝 類別：開發(fā)板，套件，編程器 射頻評估和開發(fā)套件，開發(fā)板 描述：KIT EVAL FOR MAX11008 BIAS CTLR

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