絲?。?strong>MASTERGAN2；Package：QFN；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

Features ? 600 V system-in-package integrating half-bridge gate driver and high-voltage power GaN transistors in asymmetrical configuration: – QFN 9 x 9 x 1 mm package – RDS(ON) = 150 mΩ (LS) + 225 mΩ (HS) – IDS(MAX) = 10 A (LS) + 6.5 A (HS) ? Reverse current capability ? Zero reverse recov

文件：680.33 Kbytes 頁數(shù)：29 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導體

絲印：MASTERGAN2；Package：QFN；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

Features ? 600 V system-in-package integrating half-bridge gate driver and high-voltage power GaN transistors in asymmetrical configuration: – QFN 9 x 9 x 1 mm package – RDS(ON) = 150 mΩ (LS) + 225 mΩ (HS) – IDS(MAX) = 10 A (LS) + 6.5 A (HS) ? Reverse current capability ? Zero reverse recov

文件：680.33 Kbytes 頁數(shù)：29 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導體

High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

MASTERGAN2是一款先進的系統(tǒng)級功率封裝，在半橋配置中集成了柵極驅(qū)動器和兩個增強模式GaN晶體管。\n\n 集成的GaN功率晶體管具有650 V漏-源擊穿電壓、低側(cè)和高側(cè)的RDS(ON)分別為150mΩ和225mΩ，而嵌入式柵極驅(qū)動器的高側(cè)可以由集成的自舉二極管輕松供電\n\n MASTERGAN2在上下驅(qū)動部分均具有UVLO保護，可防止電源開關(guān)在低效率或危險條件下運行，并且互鎖功能可避免交叉?zhèn)鲗闆r。\n\n 輸入引腳的擴展范圍可與微控制器、DSP單元或霍爾效應傳感器輕松連接。\n\n MASTERGAN2的工作溫度范圍為-40°C至125°C。\n\n 該器件采用緊湊型9x9 mm ? 600 V系統(tǒng)級封裝在非對稱配置中集成了半橋柵極驅(qū)動器和高壓氮化鎵功率晶體管： \n ?QFN 9 x 9 x 1 mm 封裝 \n ?RDS(ON) = 150mΩ（低側(cè)） + 225mΩ（高側(cè)） \n ?IDS(MAX) = 10 A（低側(cè)） + 6.5 A（高側(cè)） \n? 反向電流能力 \n? 零反向恢復損耗 \n? 低側(cè)和高側(cè)UVLO保護 \n? 內(nèi)置自舉二極管 \n? 互鎖功能 \n? 關(guān)閉功能專用引腳? 準確的內(nèi)部定時匹配 \n? 具有滯回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容輸入 \n? 熱保護 \n? 減少物料單 \n? 非常緊湊且簡便的布局 \n? 靈活快捷的設計。;

ST

意法半導體

Package：31-VQFN 裸露焊盤；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 電源管理 - 專用 描述：HIGH PWR DENS GAN 600V HALF BRI

STMICROELECTRONICS

意法半導體