512Mbit (4 Banks x 8M x 16), 133 MHz Clock Rate, Bare Die, 1.8 V Supply, Low Power SDRAM

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意法半導體

512Mbit (4 Banks x 8M x 16), 133 MHz Clock Rate, Bare Die, 1.8 V Supply, Low Power SDRAM

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意法半導體

256Mbit (4 Banks x 4M x 16) 1.8V Supply, 133MHz Clock Rate, DDR Low Power SDRAM

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意法半導體

256Mbit (4 Banks x 4M x 16) 1.8V Supply, 133MHz Clock Rate, DDR Low Power SDRAM

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意法半導體

512Mbit (4 banks x 8 Mb x 16) 1.8 V supply, DDR low power SDRAM

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意法半導體

512Mbit (4 banks x 8 Mb x 16) 1.8 V supply, DDR low power SDRAM

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意法半導體

512Mbit (4 banks x 8 Mb x 16) 1.8 V supply, DDR low power SDRAM

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意法半導體

512Mbit (4 banks x 8 Mb x 16) 1.8 V supply, DDR low power SDRAM

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512Mbit (4 banks x 8 Mb x 16) 1.8 V supply, DDR low power SDRAM

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意法半導體

10W內(nèi)置BJT初級反饋CV/CC 電源轉(zhuǎn)換芯片

M6512/3 是一款工作在準諧振模式恒流恒壓原邊控制高性能功率開關(guān)轉(zhuǎn)換器，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，適合于小功率充電器應用。M6512/3 采用多模式工作方式，在恒壓輸出模式中，調(diào)幅控制和調(diào)頻控制相結(jié)合，有效的提高了系統(tǒng)的效率和可靠性。在恒流輸出模式中，芯片采用調(diào)頻控制方式。M6512/3 特有的無異音控制電路，兼具了異音和優(yōu)異的動態(tài)性能。M6512/3 內(nèi)置線電壓和負載電壓的恒流補償，利用集成的線損補償功能，可獲得高性能的恒壓輸出表現(xiàn)。M6512/3 內(nèi)置多種保護功能：VCC 欠壓保護、VCC 過壓保護、逐周期限流保護、短路保護、管腳懸空保護、過熱保護和 VCC箝位等。保證電源轉(zhuǎn)換器 ? 內(nèi)置功率三極管，BVCBO > 800V\n? 恒流、恒壓精度小于±4%\n? 多模式原邊控制方式\n? 可調(diào)式線損補償功能\n? 完備的保護功能 SLP，OCP，LEB，OTP，VCC過壓、欠壓和箝位保護\n? SOP-8封裝;

MOLESEMI

摩爾芯海