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M581B	文件：300 bytes Page：1 Pages	音樂/門鈴聲IC	Tungnan 東楠	Tungnan
MRF581	文件：240.39 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features ? Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ ? Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz ? Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA ? Cost Effective MacroX Package 文件：240.39 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MRF581	文件：282.49 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features ? Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ ? Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz ? Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA ? Cost Effective MacroX Package 文件：282.49 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ADPOW	ADPOW
MRF581	文件：35.95 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR DESCRIPTION: The MRF581 is Designed for High current low Power Amplifier Applications up to 1.0 GHz. FEATURES: ? Low Noise Figure ? Low Intermodulation Distortion ? High Gain ? Omnigold? Metalization System 文件：35.95 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	ASI	ASI

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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	M5821		24+	DIP40	1	自己現(xiàn)貨	詢價
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更多M581B供應(yīng)商更新時間2026-1-21 14:01:00