SilentMOS Smart Power Stage in 5mm × 8mm LQFN

DESCRIPTION The LTC?7051-1 monolithic power stage fully integrates high speed drivers with low resistance half-bridge power switches plus comprehensive monitoring and protection circuitry in an electrically and thermally optimized package. With a suitable high frequency controller, this power

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亞德諾

Dual SilentMOS Smart Power Stage in 5mm ? 8mm LQFN

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采用5mm × 8mm LQFN封裝的雙通道SilentMOS智能功率級(jí)

LTC7050雙通道單片式功率級(jí)在電氣和熱優(yōu)化封裝中完全集成了高速驅(qū)動(dòng)器和低電阻半橋電源開關(guān)，以及全面的監(jiān)控和保護(hù)電路。借助合適的高頻控制器，該功率級(jí)可形成具有先進(jìn)的效率和瞬態(tài)響應(yīng)的緊湊型大電流電壓穩(wěn)壓器系統(tǒng)。\n\n SilentMOS技術(shù)采用第二代Silent Switcher 2架構(gòu)，可降低EMI和開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓過(guò)沖，同時(shí)較大限度地提高在高開關(guān)頻率下的效率。\n\n 高速電流檢測(cè)可提供低延遲開關(guān)電流信息，從而實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的電流平衡和即時(shí)過(guò)流保護(hù)。\n\n 熱增強(qiáng)型封裝提供雙路40A額定連續(xù)輸出電流能力。\n\n ? 每個(gè)通道的峰值輸出電流為 70A\n? SilentMOS? 智能功率級(jí)\n? 超低 SW 電壓過(guò)沖\n? 頻率高達(dá) 2MHz\n? VIN 高達(dá) 14V\n? 在 1MHz、1.8VOUT時(shí)，效率高達(dá) 94%。;

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SilentMOS Smart Power Stage in 5mm × 8mm LQFN

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絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/7050/marking.html">7050；Package：LQFN；Dual SilentMOS Smart Power Stage in 5mm ? 8mm LQFN

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采用5mm × 8mm LQFN封裝的雙通道SilentMOS智能功率級(jí)

LTC7050-1雙通道單片式功率級(jí)在電氣和熱優(yōu)化封裝中完全集成了高速驅(qū)動(dòng)器和低電阻半橋電源開關(guān)，以及全面的監(jiān)控和保護(hù)電路。借助合適的高頻控制器，該功率級(jí)可形成具有先進(jìn)的效率和瞬態(tài)響應(yīng)的緊湊型大電流穩(wěn)壓器系統(tǒng)。\n\n SilentMOS技術(shù)采用第二代Silent Switcher 2架構(gòu)，可降低EMI和開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓過(guò)沖，同時(shí)盡可能提升高開關(guān)頻率下的效率。\n\n 高速電流檢測(cè)可提供低延遲開關(guān)電流信息，從而實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的電流平衡和即時(shí)過(guò)流保護(hù)。\n\n 熱增強(qiáng)型封裝提供雙路35A額定輸出電流能力。 ? 每個(gè)通道的峰值輸出電流為 70A\n\n? SilentMOS? 智能功率級(jí)\n? 采用低 EMI/EMC Silent Switcher?2 架構(gòu)\n\n? 超低 SW 電壓過(guò)沖\n\n? 頻率高達(dá) 2MHz\n\n\n\n\n? VIN 高達(dá) 16V\n\n? 1MHz 時(shí)效率高達(dá) 94%，并具有 1.8VOUT;

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