Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

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High Speed Single/Dual N-Channel MOSFET Drivers

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半橋式/全橋式 N 溝道功率 MOSFET 驅(qū)動器

LT?1160/LT1162 是成本效益型半橋式/全橋式 N 溝道功率MOSFET 驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器能夠采用一個高達 60V 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源，以驅(qū)動頂端 N 溝道功率MOSFET。 內(nèi)部邏輯電路可防止輸入同時接通半橋中的功率 MOSFET。其針對貫通電流的獨特自適應(yīng)保護電路取消了對兩個MOSFET 的全部匹配要求。這極大地簡化了高效率電機控制和開關(guān)穩(wěn)壓器系統(tǒng)的設(shè)計。 在低供電電壓或啟動條件下，欠壓閉鎖電路將主動地把驅(qū)動器輸出拉至低電平，以防止功率 MOSFET 被部分接通。由于具有 0.5V 遲滯，因此即使在電源電壓緩慢變化的情況下也能實現(xiàn)可靠的操作。 LT1162 是 ? 工作電壓高達 60V 的浮動頂端驅(qū)動器開關(guān) \n\n? 可把頂端N溝道 MOSFET 的柵極驅(qū)動至高于負載HV電源電壓 \n\n? 180ns 變換時間 (驅(qū)動 10,000pF) \n\n? 自適應(yīng)非重疊柵極驅(qū)動可防止發(fā)生貫通 \n\n? 在高占空比條件下提供了頂端驅(qū)動器保護 \n\n? TTL/CMOS 輸入電平 \n\n? 具遲滯的欠壓閉鎖 \n\n? 工作電源電壓范圍：10V 至 15V \n\n? 單獨的頂端和底端驅(qū)動引腳;

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