LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體公司

Transient Voltage Suppressor

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SUNMATE

森美特

絲印：NCE60P04R；Package：SOT-223-3L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：987.53 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

LEIDITECH

雷卯電子

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/60p04sn/marking.html">60P04SN；Package：SOT-23-6L；LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：946.27 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

LEIDITECH

雷卯電子

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/60p04y/marking.html">60P04Y；Package：SOT-23-3L；LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：818.33 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages

LEIDITECH

雷卯電子

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/nce60p14ak/marking.html">NCE60P14AK；Package：TO-252-2L；LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.21845 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages

LEIDITECH

雷卯電子

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/nce60p65k/marking.html">NCE60P65K；Package：TO-252-2L；LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.14559 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages

LEIDITECH

雷卯電子

引線式瞬態(tài)抑制二極管

? DO-201包裝內(nèi)有鈍化玻璃芯片接合點\n? 10×1000μs波形時的峰值脈沖功率為1500W，重復頻率（工作循環(huán)）:0.01%\n? 快速的響應時間:?從0伏特至VBR最小值通常小于1.0ps\n? 出色的箝位能力\n? 典型的故障模式是因超過指定電壓或電流而造成的短路?\n? 錫絲測試基于JEDEC JESD201A的4a和4c表進行。\n? IEC-61000-4-2 ESD 15kV(Air), 8kV（接觸放電）。\n? ESD數(shù)據(jù)線路保護符合IEC 61000-4-2（IEC801-2）\n? EFT數(shù)據(jù)線路保護符合IEC 61000-4-4（IEC801-4）\n?;

Littelfuse

力特

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/lce6008as/marking.html">LCE6008AS；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.08452 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages

LEIDITECH

雷卯電子

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/lce6008as/marking.html">LCE6008AS；Package：SOP-8；LCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LEIDITECH

雷卯電子