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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
KSH45H11I	文件：491.17 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -80V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)= -1.0V(Max) @IC=-8A APPLICATIONS ·Switching Regulators ·Converters ·Power Amplifiers 文件：491.17 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ISC 無錫固電	ISC
KSH45H11ITU	文件：168.86 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Description General-purpose power and switching such as output or driver stages in applications D-PAK for surface mount applications. Features ? Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) ? Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) ? Electrically Similar to Popular KSE45H ? Fast Switchi 文件：168.86 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
KSH45H11ITU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝：管件類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS PNP 80V 8A IPAK	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
KSH45H11TF	文件：168.86 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Description General-purpose power and switching such as output or driver stages in applications D-PAK for surface mount applications. Features ? Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) ? Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) ? Electrically Similar to Popular KSE45H ? Fast Switchi 文件：168.86 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
KSH45H11TM	文件：168.86 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Description General-purpose power and switching such as output or driver stages in applications D-PAK for surface mount applications. Features ? Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) ? Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) ? Electrically Similar to Popular KSE45H ? Fast Switchi 文件：168.86 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
MJB45H11	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount 文件：64.26 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI

詳細參數(shù)

型號：
KSH45H11I
功能描述：
兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

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