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KMB6D0DN30QA	文件：466.77 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Ch Trench MOSFET GENERAL DESCRIPTION This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for portable equipment and DC-DC Converter Applications. FEATURES ? VDSS=30V, ID=6A. ? Drain-Source 文件：466.77 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KMB6D0DN30QA	文件：62.05 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Ch Trench MOSFET 文件：62.05 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KMB6D0DN30QA_08	文件：62.05 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Ch Trench MOSFET 文件：62.05 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KMB6D0DN30QA_15	文件：381.05 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Ch Trench MOSFET 文件：381.05 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC

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更多KMB6D0DN30QA供應(yīng)商更新時間2026-1-22 15:01:00