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KHB9D5N20F2	文件：499.88 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switch mode power supplies. FEATURES ? VDSS=200V, ID=9.5A ? Drain- 文件：499.88 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KHBAC4A03C-MC1HT	文件：0 bytes Page：0 Pages	原裝	SAMSUNG/三星上傳：中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	SAMSUNG/三星
KH-SMA-K513-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	KINGHELM金航標(biāo) 上傳：深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	KINGHELM金航標(biāo)

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