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KDB4020P	文件：51.36 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor Features ● -16 A, -20 V. RDS(on) = 0.08 ù @ VGS = -4.5 V RDS(on) = 0.11 ù @ VGS = -2.5 V. ● Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature. ● High density cell design for extremely low RDS(on). 文件：51.36 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
KK4020B	文件：326.67 Kbytes Page：6 Pages	14 Stage Ripple-Carry Binary Counter/Divider High-Voltage Silicon-Gate CMOS 文件：326.67 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
KK4020BD	文件：326.67 Kbytes Page：6 Pages	14 Stage Ripple-Carry Binary Counter/Divider High-Voltage Silicon-Gate CMOS 文件：326.67 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
KK4020BN	文件：326.67 Kbytes Page：6 Pages	14 Stage Ripple-Carry Binary Counter/Divider High-Voltage Silicon-Gate CMOS 文件：326.67 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI

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深圳市安富世紀電子有限公司	KDB8612B08	KODEC	23+	SOP	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
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