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K4106	文件：181.8 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI) Switching Regulator Applications ? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.4 Ω (typ.) ? High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 8.5 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V) ? Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：181.8 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
LB4106A	文件：596.35 Kbytes Page：3 Pages	HART Output Isolator 文件：596.35 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	PF 倍加福	PF
LB4106C	文件：606.18 Kbytes Page：4 Pages	HART Output Isolator with Shutdown Input 文件：606.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	PF 倍加福	PF
LL4106	文件：225.1 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching Surface Mount Diode Features ◇ Small surface mounting type ◇ High reliability ◇ Low current operation at 250uA Applications ◇ Voltage stabilization 文件：225.1 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	LUGUANG 魯光電子	LUGUANG

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更多K4106供應(yīng)商更新時間2026-1-21 14:02:00