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K3878	文件：1.06566 Mbytes Page：6 Pages	THINKISEMI 9A,900V N-CHANNEL PLANAR STRIPE POWER MOSFETs 文件：1.06566 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	THINKISEMI 思祁半導(dǎo)體	THINKISEMI
2SK3878	文件：235.79 Kbytes Page：6 Pages	絲印：K3878；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) Switching Regulator Applications ? Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) ? High forward transfer admittance: ?Yfs? = 7.0 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V) ? Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：235.79 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SK3878	文件：212.41 Kbytes Page：6 Pages	絲印：K3878；Switching Regulator Applications 文件：212.41 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
K3878	文件：300 bytes Page：1 Pages	900V N-Channel Power MOSFET	MINOS 邁諾斯	MINOS

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更多K3878供應(yīng)商更新時間2026-1-21 17:06:00