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TK13A50D	文件：279.35 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?strong>K13A50D；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) Switching Regulator Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.31 Ω (typ.) High forward transfer admittance: ?Yfs? = 7.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：279.35 Kbytes 頁數：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
K13A50D	文件：279.35 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) Switching Regulator Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.31 Ω (typ.) High forward transfer admittance: ?Yfs? = 7.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：279.35 Kbytes 頁數：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA

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更多K13A50D供應商更新時間2026-1-17 17:26:00