| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IXTM24N50 | MegaMOSFET N-Channel Enhancement Mode Features International standard packages Low RDS (on)HDMOS? process Rugged polysilicon gate cell structure Low package inductance ( 文件:107.4 Kbytes 頁數(shù):4 Pages | IXYS 艾賽斯 | IXYS | |
IXTM24N50 | N-Channel Enhancement Mode 文件:143.94 Kbytes 頁數(shù):2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | |
IXTM24N50 | N通道標(biāo)準(zhǔn)高電壓MOSFET ? 國際標(biāo)準(zhǔn)包裝\n? 快速切換時間\n? 雪崩評級\n? 堅(jiān)固的多晶硅柵極單元結(jié)構(gòu)\n? 超低的RDS(on); | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個 描述:POWER MOSFET TO-3 | IXYS 艾賽斯 | IXYS |
技術(shù)參數(shù)
- Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):
0.23
- Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):
24
- Gate Charge (nC):
160
- Thermal resistance [junction-case](K/W):
0.42
- Configuration:
Single
- Typical Reverse Recovery Time (ns):
600
- Power Dissipation (W):
300
- Sample Request:
No
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
TO-3 |
142 |
詢價 | |||
IXYS |
05+ |
原廠原裝 |
4283 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
130 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價 | ||
IXYS |
20+ |
TO-3 |
35830 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-264 |
65493 |
原裝正品 華強(qiáng)現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
25+ |
65 |
公司優(yōu)勢庫存 熱賣中! |
詢價 | ||||
IXYS |
2022+ |
TO-204AE |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
TO-3 |
100 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 |
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