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首頁 >IXFA18N60X>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IXFA18N60X	文件：189.15 Kbytes Page：6 Pages	Preliminary Technical Information 文件：189.15 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	IXYS 艾賽斯	IXYS
IXFA18N60X	文件：300.03 Kbytes Page：2 Pages	絲印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.03 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IXFA18N60X	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道超-超級(jí)結(jié)MOSFET ? 超低通態(tài)電阻RDS(ON)和柵極電荷Qg\n? 快速體二極管\n? dv/dt強(qiáng)度\n? 雪崩評級(jí)\n? 較低的封裝電感\(zhòng)n? 國際標(biāo)準(zhǔn)包裝;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFH18N60P	文件：171.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Features ? International standard packages ? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated ? Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages ? Easy to mount ? Space savings ? High power density 文件：171.16 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	IXYS 艾賽斯	IXYS
IXFH18N60P	文件：337.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：337.75 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IXFH18N60X	文件：384.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：384.12 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

技術(shù)參數(shù)

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.23
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
18
Gate Charge (nC)：
35
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.39
Configuration：
Single
Package Type：
TO-263
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
127
Power Dissipation (W)：
320
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多IXFA18N60X供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 10:19:00

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