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    IXDN604SI

    4-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

    文件:1.60046 Mbytes 頁(yè)數(shù):13 Pages

    CLARE

    Clare, Inc.

    IXDN604SI

    4A Peak Source/Sink Drive Current

    文件:320.5 Kbytes 頁(yè)數(shù):13 Pages

    IXYS

    艾賽斯

    IXDN604SI

    AEC Q100 Qualified

    文件:273.46 Kbytes 頁(yè)數(shù):12 Pages

    IXYS

    艾賽斯

    IXDN604SIA

    4A Peak Source/Sink Drive Current

    文件:320.5 Kbytes 頁(yè)數(shù):13 Pages

    IXYS

    艾賽斯

    IXDN604SIA

    AEC Q100 Qualified

    文件:273.46 Kbytes 頁(yè)數(shù):12 Pages

    IXYS

    艾賽斯

    IXDN604SIA

    4-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

    文件:1.60046 Mbytes 頁(yè)數(shù):13 Pages

    CLARE

    Clare, Inc.

    IXDN604SIATR

    4-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

    文件:1.60046 Mbytes 頁(yè)數(shù):13 Pages

    CLARE

    Clare, Inc.

    IXDN604SIATR

    4A Peak Source/Sink Drive Current

    文件:320.5 Kbytes 頁(yè)數(shù):13 Pages

    IXYS

    艾賽斯

    IXDN604SIATR

    AEC Q100 Qualified

    文件:273.46 Kbytes 頁(yè)數(shù):12 Pages

    IXYS

    艾賽斯

    IXDN604SITR

    AEC Q100 Qualified

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    IXYS

    艾賽斯

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號(hào):

      IXDN604SI

    • 制造商:

      IXYS Integrated Circuits Division

    • 類別:

      集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

    • 包裝:

      卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

    • 驅(qū)動(dòng)配置:

      低端

    • 通道類型:

      獨(dú)立式

    • 柵極類型:

      IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET

    • 電壓 - 供電:

      4.5V ~ 35V

    • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

      0.8V,3V

    • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

      4A,4A

    • 輸入類型:

      非反相

    • 上升/下降時(shí)間(典型值):

      9ns,8ns

    • 工作溫度:

      -40°C ~ 125°C(TA)

    • 安裝類型:

      表面貼裝型

    • 封裝/外殼:

      8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      8-SOIC-EP

    • 描述:

      IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
    IXYS/艾賽斯
    25+
    SOP8
    12496
    IXYS/艾賽斯原裝正品IXDN604SI即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨
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    更多IXDN604SI供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 20:02:00

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