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ISPW11N60C3	文件：335.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ? DESCRITION ? High peak current capability ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤380m? ? Enhancement mode: ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：335.59 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
SPA11N60C3	文件：352.75 Kbytes Page：14 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature ? New revolutionary high voltage technology ? Ultra low gate charge ? Periodic avalanche rated ? Extreme dv/dt rated ? High peak current capability ? Improved transconductance ? P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) 文件：352.75 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
SPA11N60C3	文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology 文件：659.64 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
SPA11N60C3	文件：662.11 Kbytes Page：15 Pages	Cool MOS??Power Transistor 文件：662.11 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

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更多ISPW11N60C3供應(yīng)商更新時間2026-1-22 14:25:00