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ISPD03N60S5	文件：335.44 Kbytes Page：2 Pages	絲印：DPAK；Package：TO-252；N-Channel MOSFET Transistor ? DESCRITION ? Improved transconductance ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤1.4? ? Enhancement mode: ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：335.44 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
ISPP03N60S5	文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ? DESCRIPTION ? Ultra low gate charge ? Ultra low effective capacitance ? Improved transconductance ? FEATURES ? Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤1.4? ? Enhancement mode ? Fast Switching Speed ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device perf 文件：338.32 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
SPB03N60S5	文件：308.41 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature ? New revolutionary high voltage technology ? Ultra low gate charge ? Periodic avalanche rated ? Extreme dv/dt rated ? Ultra low effective capacitances ? Improved transconductance 文件：308.41 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
SPB03N60S5	文件：251.72 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor 文件：251.72 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

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更多ISPD03N60S5供應商更新時間2026-1-20 14:03:00