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    ISP670P06NMA中文資料采用 SOT-223 封裝的 60 V P 溝道功率 MOSFET,適用于汽車應(yīng)用數(shù)據(jù)手冊Infineon規(guī)格書

    PDF無圖
    廠商型號

    ISP670P06NMA

    功能描述

    采用 SOT-223 封裝的 60 V P 溝道功率 MOSFET,適用于汽車應(yīng)用

    制造商

    Infineon Infineon Technologies AG

    中文名稱

    英飛凌 英飛凌科技股份公司

    數(shù)據(jù)手冊

    下載地址下載地址二

    更新時間

    2026-1-22 22:58:00

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    ISP670P06NMA規(guī)格書詳情

    描述 Description

    ISP670P06NMA 具有 0.167 Ohm 的低 RDS(on),可輕松實現(xiàn)功率損耗管理,使其成為針對汽車應(yīng)用的 SOT-223 封裝中最佳的 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)點是降低了設(shè)計復(fù)雜性。此外,這種 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求的應(yīng)用。

    特性 Features

    ? 汽車資質(zhì)

    ? 產(chǎn)品組合中最低的 RDS(on)

    ? 支持多種應(yīng)用程序

    ? 堅固、可靠的性能

    應(yīng)用 Application

    ? 智能汽車解決方案

    技術(shù)參數(shù)

    • 制造商編號

      :ISP670P06NMA

    • 生產(chǎn)廠家

      :Infineon

    • IDpulsmax

      :-25.6 A

    • QG(typ @10V)

      :-36 nC

    • RDS (on)(@10V) max

      :67 m?

    • VDSmax

      :-60 V

    • VGS(th)

      :-2.1 V to -4 V

    • Package

      :SOT-223

    • Operating Temperature

      :-55 °C to 150 °C

    • Polarity

      :P

    供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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