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ISP26DP06NMS	文件：300 bytes Page：1 Pages	常規(guī)和邏輯電平的 P 溝道 MOSFET，降低中低功率應(yīng)用的設(shè)計復(fù)雜性 ? VDS= -60V\n? Very low on-resistance RDS(on)\n? 100% avalance tested\n? Logic level\n? Qualified according to JEDEC standard\n\n優(yōu)勢:\n? Easy interface to MCU\n? Fast switching\n? Avalanche ruggedness;	Infineon 英飛凌	Infineon
ISP26DP06NMS	文件：643.53 Kbytes Page：11 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/26dp06ns/marking.html">26DP06NS；Package：PG-SOT223-3；OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 V 文件：643.53 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
ISP26DP06NMSATMA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET P-CH 60V SOT223-3	Infineon 英飛凌	Infineon
ISP26DP06NMSATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個描述：MOSFET P-CH 60V SOT223	INFINEON 英飛凌	INFINEON

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更多ISP26DP06NMS供應(yīng)商更新時間2026-1-19 15:04:00