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    ISL89162FBEBZ

    High Speed, Dual Channel, 6A, 4.5 to 16VOUT, Power MOSFET Driver

    文件:377.95 Kbytes 頁數(shù):13 Pages

    INTERSIL

    ISL89162FBEBZ

    絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/89162fbebz/marking.html">89162FBEBZ;Package:8LdEPSOIC;High Speed, Dual Channel, 6A, 4.5 to 16VOUT, Power MOSFET Drivers

    文件:686.32 Kbytes 頁數(shù):14 Pages

    RENESAS

    瑞薩

    ISL89162FBEBZ

    Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    Renesas Electronics America Inc

    Renesas Electronics America Inc

    ISL89162FBEBZ-T

    Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    Renesas Electronics America Inc

    Renesas Electronics America Inc

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號(hào):

      ISL89162FBEBZ

    • 制造商:

      Renesas Electronics America Inc

    • 類別:

      集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

    • 包裝:

      卷帶(TR)

    • 驅(qū)動(dòng)配置:

      低端

    • 通道類型:

      獨(dú)立式

    • 柵極類型:

      N 溝道 MOSFET

    • 電壓 - 供電:

      4.5V ~ 16V

    • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

      1.85V,3.15V

    • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

      6A,6A

    • 輸入類型:

      反相,非反相

    • 上升/下降時(shí)間(典型值):

      20ns,20ns

    • 工作溫度:

      -40°C ~ 125°C(TJ)

    • 安裝類型:

      表面貼裝型

    • 封裝/外殼:

      8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      8-SOIC-EP

    • 描述:

      IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
    INTERSIL
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    Renesas Electronics America In
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    原裝正品 價(jià)格優(yōu)勢
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    更多ISL89162FBEBZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-21 16:10:00

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