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ISG2018	文件：372.21 Kbytes Page：4 Pages	Trench gate Field-Stop IGBT DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.0V@IC=30A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Switching APPLICATIONS ·Synchronous Rectification in SMPS ·Automotive Chargers ·UPS,PFC ·High Voltage Auxiliaries 文件：372.21 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ISC 無錫固電	ISC
K2018	文件：1.04338 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.04338 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
KTC2018	文件：275.34 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE) GENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURES ? High Breakdown Voltage : VCEO=100V. ? Low Collector Saturation Voltage :VCE(sat)=2.0V(Max.). ? Complementary to KTA1038. 文件：275.34 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KTC2018-O	文件：1.09303 Mbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：1.09303 Mbytes 頁數(shù)：2 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN

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更多ISG2018供應(yīng)商更新時間2026-1-22 14:31:00