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ISC50P06	文件：261.11 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -50A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 37mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor control and drive · Battery management · Genaral Power Switching 文件：261.11 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
LMAK50P06	文件：1.11293 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.11293 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	LEIDITECH 雷卯電子	LEIDITECH
ME50P06	文件：971.73 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：971.73 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
NP50P06KDG	文件：184.9 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES ?Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= ?10 V, ID= ?25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= ?4.5 V, ID= ?25 A) ?Low input capacitance 文件：184.9 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	NEC 瑞薩	NEC

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更多ISC50P06供應(yīng)商更新時間2026-1-20 19:00:00