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ISB3067	文件：281.55 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 700V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC=3A APPLICATIONS · Designed for low frequency power amplifiers and low speed switching applications 文件：281.55 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
K3067	文件：151.16 Kbytes Page：3 Pages	Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications 文件：151.16 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
KBPC3067	文件：102.05 Kbytes Page：2 Pages	30 AMP AVALANCHE BRIDGES 30 AMP AVALANCHE BRIDGES ● 2000V isolation - Terminals to Base ● Low Forward Voltage Drip ● Copper Mounting Pad for Low Thermal Resistance ● 30 A DC at 80°C Case Temp. ● Glass Passivated Die 文件：102.05 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
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更多ISB3067供應商更新時間2026-1-21 10:43:00