Generation V Technology

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IRF

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

30V 單個 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TSOP-6 (Micro 6)封裝

IR MOSFET 系列產(chǎn)品采用成熟的硅工藝，為設(shè)計人員提供了豐富的器件組合，以支持各種應(yīng)用，例如直流電機、逆變器、SMPS、照明、負(fù)載開關(guān)以及電池供電應(yīng)用等。這些器件擁有各種表貼封裝裝和通孔封裝產(chǎn)品，都是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，便于設(shè)計。 ? 適用于寬 SOA 的平面單元結(jié)構(gòu)\n? 針對分銷合作伙伴的廣泛可用性進(jìn)行了優(yōu)化\n? 產(chǎn)品符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)\n? 針對低于 <100kHz 開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了硅優(yōu)化\n? 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝封裝;

Infineon

英飛凌