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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRLML5103	文件：193.69 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.60ohm) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET? power MOSFETs are well known for, provid 文件：193.69 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRLML5103	文件：428.71 Kbytes Page：6 Pages	Generation VTechnology Features Generation VTechnology UltraLowOn-Resistance P-ChannelMOSFET SOT-23Footprint Low Profile( 文件：428.71 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	UMW 友臺(tái)半導(dǎo)體	UMW
IRLML5103	文件：388.16 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET Features Generation VTechnology UltraLowOn-Resistance P-ChannelMOSFET SOT-23Footprint Low Profile( 文件：388.16 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI
IRLML5103	文件：550.83 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 文件：550.83 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
IRLML5103	文件：81.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：81.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRLML5103	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 Micro 3 封裝的 -30V 單 P 通道功率 MOSFET \n優(yōu)勢(shì):\n? 符合 RoHS\n? 低 RDS(on)\n? 具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的品質(zhì)\n? 動(dòng)態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開關(guān)\n? 完全雪崩額定值\n? 175°C 的工作溫度\n? P 通道MOSFET;	Infineon 英飛凌	Infineon
IRLML5103	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
IRLML5103	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Ch MOSFET	JGSEMI 金鋯半導(dǎo)體	JGSEMI
IRLML5103TR	文件：428.71 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dbpt6/marking.html">DBPT6；Package：SOT-23；Generation VTechnology Features Generation VTechnology UltraLowOn-Resistance P-ChannelMOSFET SOT-23Footprint Low Profile( 文件：428.71 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	UMW 友臺(tái)半導(dǎo)體	UMW
IRLML5103TR	文件：388.16 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dbpt6/marking.html">DBPT6；Package：SOT-23；MOSFET Features Generation VTechnology UltraLowOn-Resistance P-ChannelMOSFET SOT-23Footprint Low Profile( 文件：388.16 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IRLML5103TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SOT23
VDS max：
-30 V
RDS (on) @10V max：
600 m?
RDS (on) @4.5V max：
1000 m?
ID @25°C max：
-0.76 A
QG typ @10V：
3.4 nC
Special Features：
Small Signal
Polarity：
P
VGS(th) min：
-1 V
Technology：
IR MOSFET?

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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRLML5103	IR	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
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