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IRLI640	文件：332.52 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. ● Isolated Package ● High Voltage Isolation = 2.5KVRMS ● Sink to Lead Creepage Dist. 4.8mm ● 文件：332.52 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRLI640A	文件：274.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：274.95 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

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