首頁(yè) >IRGP4630D-EPBF>規(guī)格書(shū)列表
| 型號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRGP4630D-EPbF | Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 文件：1.33886 Mbytes 頁(yè)數(shù)：17 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON | |
IRGP4630D-EPBF | Package：TO-247-3；包裝：散裝 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 47A 206W TO247AD | INFINEON 英飛凌 | INFINEON | |
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 文件：1.33886 Mbytes 頁(yè)數(shù)：17 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：1.25091 Mbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages | IRF | IRF | ||
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 文件：1.33886 Mbytes 頁(yè)數(shù)：17 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IRGP4630D-EPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
散裝
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.95V @ 15V，18A
- 開(kāi)關(guān)能量：
95μJ（開(kāi)），350μJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
40ns/105ns
- 測(cè)試條件：
400V，18A，22 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 47A 206W TO247AD
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+23+ |
TO-247 |
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