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IRGBC40S	文件：249.57 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A) Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of 文件：249.57 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	IRF	IRF
IRGBC40S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 頁數(shù)：35 Pages	IRF	IRF
IRGBC40S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT STD 600V 50A TO-220AB	INFINEON 英飛凌	INFINEON
IRGP20B60PDPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	IR 國際整流器上傳：深圳市朱博士電子科技有限公司	IR
IRGP20B60PDPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	IR 國際整流器上傳：深圳市納艾斯科技有限公司	IR

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更多IRGBC40S供應(yīng)商更新時間2026-1-22 10:01:00