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IRG4PH40U	文件：163.93 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A) Features ? UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode ? New IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations ? Optimized for power conversion; SMPS, UPS and 文件：163.93 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PH40UD	文件：220.5 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A) Features ? UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode ? New IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations ? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ult 文件：220.5 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PH40UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 頁數(shù)：35 Pages	IRF	IRF

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更多IRG4PH40SD供應(yīng)商更新時間2026-1-22 13:30:00