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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRG4PC30FD	文件：210.35 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) Fast CoPack IGBT Features ? Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). ? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 ? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-sof 文件：210.35 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 頁數(shù)：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30FDPBF	文件：384.56 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack 1GBT VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.59V @VGE = 15V, IC = 17A Features ? Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). ? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 ? IGBT co-packa 文件：384.56 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30FDPBF	文件：385.52 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：385.52 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30FDPBF_15	文件：385.52 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：385.52 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30FD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 快速 1-8 kHz Copack IGBT，采用 TO-247AC 封裝	Infineon 英飛凌	Infineon
IRG4PC30FDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 31A 100W TO247AC	INFINEON 英飛凌	INFINEON

技術(shù)參數(shù)

Technology?：
IGBT Gen 4
Switching Frequency?min?max：
1.0kHz?8.0kHz
Package?：
TO-247
Voltage Class?max：
600.0V
IC(@100°)?max：
17.0A
IC(@25°)?max：
31.0A
ICpuls?max：
120.0A
Ptot?max：
100.0W
VCE(sat)?：
1.59V?
Eon?：
0.63mJ?
Eoff(Hard Switching)?：
1.39mJ?
td(on)?：
42.0ns?
tr?：
26.0ns?
td(off)?：
230.0ns?
tf?：
160.0ns?
QGate?：
51.0nC?
IF?max：
120.0A
VF?：
1.4V?
Qrr?：
80.0nC?
Irrm?：
3.5A?
Ets??(max)：
2.02mJ?(3.9mJ)
VCE?max：
600.0V

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