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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRFUC20PBF	文件：1.08756 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. ? Dynamic dV/dt Rating ? Repetitive Avalanche Rated ? Surface Mount (IRFRC20/SiHFRC20) ? Str 文件：1.08756 Mbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRFUC20PBF	文件：4.33972 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The s 文件：4.33972 Mbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFUC20PBF	文件：4.34026 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The s 文件：4.34026 Mbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFUC20PBF	文件：4.34026 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The s 文件：4.34026 Mbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFUC20PBF	文件：1.82401 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The s 文件：1.82401 Mbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFUC20PBF	文件：1.13808 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：1.13808 Mbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFUC20PBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFUC20PBF	INFINEON/英飛凌	25+	TO-251	32360	INFINEON/英飛凌全新特價(jià)IRFUC20PBF即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
深圳市華高宇電子有限公司	IRFUC20PBF	VISHAY	13+		55875	I-PAK (TO-251)	詢價(jià)
深圳市拓億芯電子有限公司	IRFUC20PBF	IR	25+	TO-251	22000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
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深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFUC20PBF	VISHAY/威世	2450+	TO-251	9850	只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	IRFUC20PBF	VISHAY	24+/25+	I-PAK(TO-251)	59025	原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	IRFUC20PBF	Vishay	24+	NA	3183	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市正邁科技有限公司	IRFUC20PBF	IR	23+	NA	2800	專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價(jià)代理特價(jià)，原裝元器件供應(yīng)，支持開發(fā)樣品	詢價(jià)
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