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IRFRU9310	文件：116.78 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A) 文件：116.78 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
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IRFU9310	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extre 文件：832.21 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFU9310	文件：3.34658 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extre 文件：3.34658 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI

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更多IRFRU9310供應(yīng)商更新時間2026-1-22 14:00:00