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IRFP253	文件：518.69 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power Mosfets 文件：518.69 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRFP253	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series FEATURES: ? Fast switching times ? Low RDS(on) HDMOS? process ? Rugged polysilicon gate cell structure ? Excellent high voltage stability ? Low input capacitance ? Improved high temperature reliability APPLICATIONS: ? Switching power supplies ? Motor controls ? Audio Amplifiers ? Invert 文件：49.56 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	IXYS 艾賽斯	IXYS
IRFP253	文件：493.77 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel(Hexfet Transistors) 文件：493.77 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFP253	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：67.82 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IRFP253	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET 150V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3P	NJS	NJS

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