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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRFL024	文件：110.16 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A) VDSS = 55V RDS(on) = 0.075? ID = 2.8A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：110.16 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET? Power MOSFET VDSS = 55V\nRDS(on) = 0.075?\nID = 2.8ADescription\nFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Powe	Infineon 英飛凌	Infineon
IRFL024N	文件：110.16 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A) VDSS = 55V RDS(on) = 0.075? ID = 2.8A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：110.16 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024NPBF	文件：135.03 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET? Power MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 57.5m? ID = 5.1A Description This HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：135.03 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024Z	文件：269.18 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 57.5m? ID = 5.1A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 150°C junction op 文件：269.18 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRFL024ZPBF	文件：191.38 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 57.5m? ID = 5.1A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 150°C junction op 文件：191.38 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRFL024N	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：115.72 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024N	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount 文件：115.72 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024NPBF	文件：140.38 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：140.38 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024NPBF_15	文件：140.38 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：140.38 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IRFL024NTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SOT223
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
75 m?
ID @25°C max：
4 A
QG typ @10V：
12.2 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET?

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFL024	IR	25+	SOT-223	20300	IR原裝特價(jià)IRFL024即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價(jià)
深圳市科翼源電子有限公司	IRFL024	IR	23+	SOT-223	3700	原廠原裝正品	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFL024	IR	2450+	SOT-223	9850	只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRFL024	IR	17+	SOT-223	6200		詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	IRFL024	IR	24+	SOT-223	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	IRFL024	IOR	25+		2987	絕對全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)!	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	IRFL024	IR	18+	SOT-223	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRFL024	IR	23+	SOT223	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRFL024	IR	25+	SOT-223	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
洪芯國際半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFL024	IR	26+	TO-220F	86720	全新原裝正品價(jià)格最實(shí)惠假一賠百	詢價(jià)

更多IRFL024供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 14:14:00

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