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IRFBE30LPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRFBE30LPBF |
| 功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
| 文件大小 |
588.09 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2026-1-18 22:58:00 |
| 人工找貨 | IRFBE30LPBF價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFBE30LPBF規(guī)格書詳情
描述 Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
O Dynamic dv/dt Rating
O Repetitive Avalanche Rated
O Fast Switching
O Ease of Paralleling
O Simple Drive Requirements
O Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFBE30LPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2016+ |
TO-220 |
6000 |
公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO262 |
54648 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO262 |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+23+ |
TO-262 |
27799 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VishayIR |
24+ |
TO-262 |
1373 |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
10000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
18+ |
TO-220 |
85600 |
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
1725+ |
TO-220AB |
7500 |
只做原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
SILICONIXVISHAY |
2447 |
TO-262(I2PAK) |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價(jià) |
