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首頁(yè) >IRFB3607>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRFB3607	文件：306 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：306 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IRFB3607	文件：300 bytes Page：1 Pages	75V 單 N 通道 StrongIRFET ?功率 MOSFET，采用 TO-220 封裝 \n優(yōu)勢(shì):\n? Optimized for broadest availability from distribution partners\n? Product qualification according to JEDEC standard\n? Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n? Industry standard through-hole power package\n? High-current carrying capability package (upto 195A, die-size ;	Infineon 英飛凌	Infineon
IRFB3607PBF	文件：425.92 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ? Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ? Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications ? High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ? Uninterruptible Power Supply ? Hi 文件：425.92 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRFB3607GPBF	文件：293.98 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：293.98 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRFB3607PBF	文件：327.29 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：327.29 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	IRF	IRF
IRFB3607PBF	文件：1.5573 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi 85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFETs 文件：1.5573 Mbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	THINKISEMI 思祁半導(dǎo)體	THINKISEMI
IRFB3607GPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	\u0001\u0002High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	Infineon 英飛凌	Infineon

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IRFB3607PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
75 V
RDS (on) @10V max：
9 m?
ID @25°C max：
80 A
QG typ @10V：
56 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET?

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFB3607	IR	25+	TO-220	20300	IR原裝特價(jià)IRFB3607即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
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更多IRFB3607供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 11:03:00

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