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IRF9642	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ? Low RDS(on) ? Improved inductive ruggedness ? Fsat switching times ? Rugged polysilicon gate cell structure ? Low input capacitance ? Extended safe operating area ? Improved high temperature reliability 文件：508.31 Kbytes 頁數：12 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF9642	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ? Low RDS(on) ? Improved Inductive ruggedness ? Fast switching times ? Rugged polysllicon gate cell structure ? Low Input capacitance ? Extended safe operating area ? Improved high temperature reliability 文件：158.98 Kbytes 頁數：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司	NJSEMI
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IRF9642	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS	NJS

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