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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF8010	文件：494.75 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications ? High frequency DC-DC converters ? UPS and Motor Control Benefits ? Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ? Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ? Fully Characterized Avalanche Voltage an 文件：494.75 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRF8010	文件：338.69 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.69 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
IRF8010	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 封裝的 100V 單 N 溝道功率 MOSFET \n優(yōu)勢:\n? 符合 RoHS\n? 具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的品質(zhì)\n? 動(dòng)態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開關(guān)\n? 完全雪崩額定值\n? 175°C 的工作溫度;	Infineon 英飛凌	Infineon
IRF8010L	文件：223.28 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Typical RDS(on)= 12m? aplications High frequency DC-DC converters UPS and Motor Control 文件：223.28 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRF8010LPBF	文件：220.46 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Typical RDS(on)= 12m? applications High frequency DC-DC converters UPS and Motor Control 文件：220.46 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRF8010PBF	文件：130.41 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Typical RDS(on) = 12m? Applications ● High f 文件：130.41 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	IRF	IRF
IRF8010S	文件：223.28 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Typical RDS(on)= 12m? aplications High frequency DC-DC converters UPS and Motor Control 文件：223.28 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRF8010SPBF	文件：220.46 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Typical RDS(on)= 12m? applications High frequency DC-DC converters UPS and Motor Control 文件：220.46 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRF8010STRLPBF	文件：223.28 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Typical RDS(on)= 12m? aplications High frequency DC-DC converters UPS and Motor Control 文件：223.28 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	IRF	IRF
IRF8010L	文件：300.33 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.33 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

技術(shù)參數(shù)

OPN：
IRF8010PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
15 m?
ID @25°C max：
80 A
QG typ @10V：
81 nC
Special Features：
Wide SOA
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET?

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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